[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在N⁺型的第一漏层11下不形成N^－型漏层2A、2B，且在N⁺型的第一漏层11下的区域形成深的N⁺型的第二漏层3。N⁺型的第一漏层11和第二漏层3形成一体，作为比N⁺型源层10深的N⁺层，其体积增加。由此，浪涌电流的热分散在该N⁺层上，提高了对浪涌电流热破坏的抵抗力。另外，在N⁺型的第二漏层3下的区域形成P⁺型埋入层3。在栅极8下的N^－型漏层2A热破坏前，浪涌电流通过该PN结，逃逸到硅衬底1。其结果可进一步提高ESD耐量。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体衬板；在该半导体衬底的表面上配置的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上配置的栅极；与该栅极的一端邻接，并配置在所述半导体衬底的表面的第二导电型源层；与所述栅极的另一端分离，配置在所述半导体衬底的表面，比所述源层更深的第二导电型的高浓度漏层；在该高浓度漏层和所述栅极的另一端之间，在所述半导体衬底表面配置的第二导电型的低浓度漏层。