[发明专利]绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法有效
| 申请号： | 03149259.2 | 申请日： | 2003-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1567593A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨国男;詹宜陵;陈豪育;邓凌思;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/328;H01L27/10;H01L27/11;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法，该包鳍状元件包含：硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，且晶闸管的宽度能使其结构中形成一非空乏区域，与栅极层。本发明的另一实施例包含硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，及部分覆盖于晶闸管宽度之上的栅极层，使晶闸管结构中间形成非空乏区域。借此，本发明的鳍状元件具有降低半导体组件的短信道效应尺寸，及改善SOI制造工艺鳍状元件完全空乏的情况，使得晶闸管的操作速度更为加快，还能满足系统芯片的制造需求。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 芯片 状元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘硅芯片的鳍状元件，其特征在于，该鳍状元件至少包含：一硅基材；一绝缘层，覆盖于该硅基材之上；至少一鳍状结构的晶闸管形成于该绝缘层之上，该鳍状结构的硅控整流体的宽度，能使在该鳍状结构的晶闸管中形成一非空乏区域；及至少一栅极层，形成在该鳍状结构的晶闸管之上，用来控制该硅控整流体。
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