[发明专利]光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 03150307.1 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1490672A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/16;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料可以增厚光刻胶图案并形成精细的中空图案。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；和选自阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，在形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：在下层上形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面以增厚图案；以及通过利用图案刻蚀对下层制图的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 材料 及其 形成 工艺 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶图案增厚材料，包括：树脂；交联剂；和阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化合物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03150307.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于设计掩模和制造面板的方法
- 下一篇：曝光系统及其曝光方法
