[发明专利]铜电镀薄膜方法有效
| 申请号： | 03150640.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1590597A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张开军;职春星;徐根保 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜电镀薄膜方法，涉及半导体铜布线工艺中的铜薄膜的电镀，具体步骤为：先在阻挡层上沉积铜籽晶层，然后对铜籽晶层进行表面处理，最后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层；上述表面处理的步骤可以是用气体冲刷Cu籽晶层、对Cu籽晶进行退火处理、或用加热后的温水对Cu籽晶层进行冲洗；使用本发明方法处理后的Cu籽晶层，其表面是经过了结构重组或/和在几个原子层上经过了氧化了的结构，这种表面处理方法会减少铜薄膜的表面张力，从而有效地提高了ECP Cu薄膜与ECP电镀化学试剂之间的润湿能力，其结果是在极短的时间内降低或甚消除ECP Cu薄膜中的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜电镀薄膜方法，包括：先在阻挡层上沉积铜籽晶层，然后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层；其特征是：该方法在上述两步骤之间还包括对铜籽晶层进行表面处理的步骤。
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