[发明专利]一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底无效
| 申请号： | 03150806.5 | 申请日： | 2003-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1519398A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;H01L21/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的硼，浓度为1×1013～1×1021cm－3的锗。用它作为硅外延的衬底，由于锗的原子半径大于基体硅原子，形成晶格补偿，使得晶格失配不再出现，能有效提高硅单晶的质量和成品率，从而能有效改善重掺硼硅外延片的质量。利于降低生产成本。而锗元素的最外层电子数和硅元素一样，都是4个，因此不会影响重掺硼硅单晶衬底和外延层的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 补偿 重掺硼硅单晶 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底，其特征是它含有浓度1013～1×1021/cm3的硼，浓度为1×1016～1×1021cm-3的锗。
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