[发明专利]使用单独三端非易失存储元件的存储器阵列及其形成方法无效
| 申请号： | 03158195.1 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1490819A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 威廉·R.·雷赫尔;汪礼康 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改进的非易失存储器阵列包括多个存储器单元，至少一个存储器单元包括用于存储至少一个存储器单元的逻辑状态的三端非易失存储元件。存储器阵列进一步包括多个在操作中耦合到存储器单元的写入线，用于在存储器阵列中选择性写入一或多个存储器单元的逻辑状态，多个在操作中耦合到存储器单元的位线和字线，用于选择性地读出和写入存储器阵列中的一或多个存储器单元的逻辑状态。存储器阵列被有利地构造成不需要在操作中耦合到至少一个存储器单元中相应的非易失存储元件的通过栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 单独 三端非易失 存储 元件 存储器 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.非易失存储器阵列，包括：多个存储器单元，至少一个存储器单元包括用于存储至少一个存储器单元的逻辑状态的三端非易失存储元件；在操作中耦合到存储器单元的多个写入线，用于选择性地在存储器阵列中写入一或多个存储器单元；在操作中耦合到存储器单元的多个位线和字线，用于选择性地在存储器阵列中读出和写入一或多个存储器单元；其中存储器阵列被构造成不需要在操作中耦合到至少一个存储器单元中相应非易失存储元件的通过栅极。
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