[发明专利]半导体器件及其制造和评估方法和处理条件评估方法有效
| 申请号： | 03158503.5 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1495912A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 堀充明;田村直义;滋野真弓 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由氮氧化硅膜构成的栅极绝缘膜淀积在半导体衬底上。栅极淀积在栅极绝缘膜上。源区和漏区淀积在栅极两侧。栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子总数的比例为20％或20％以下，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子，并且连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 评估 方法 处理 条件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；由氮氧化硅膜制成的并淀积在半导体衬底的部分表面区域上的栅极绝缘膜；淀积在栅极绝缘膜上的栅极；和淀积在栅极两侧的源区和漏区，其中栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子总数的比例为20％或20％以下，并且，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子上，连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子。
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