[实用新型]硅基级联式MEMS移相器

摘要

一种硅基级联式MEMS移相器，属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器，插入损耗低，移相范围大，下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器，不仅插入损耗小、移相范围大，而且下拉电压低。本实用新型的技术方案是在已有的硅基级联式MEMS移相器上，部分加宽金属弹性桥4的桥面宽度和选用合适的金属弹性桥4的构成材料。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器还有寿命长，易于与其他元器件集成，体积小，易于制造，生产成本低的优点。

主权项

1.一种硅基级联式MEMS移相器，由信号线(1)、地线(2)、薄膜(3)、金属弹性桥(4)、衬底(5)、缓冲层(6)和空气间隙(7)组成，薄膜(3)是氮化硅薄膜，衬底(5)是高阻硅片，缓冲层(6)是二氧化硅薄膜，缓冲层(6)热生长在衬底(5)上，信号线(1)和两根地线(2)淀积在缓冲层(6)上，信号线(1)和两根地线(2)组成共面波导传输线，薄膜(3)覆盖在信号线(1)上，多至十三个金属弹性桥(4)以悬浮在信号线(1)上方的方式整齐地横跨在两根地线(2)之间，金属弹性桥(4)、空气间隙(7)和薄膜(3)构成了信号线(1)与地线(2)之间的加载电容，其特征在于，金属弹性桥(4)桥面的中部宽度大于该桥桥面其它部分的宽度。