[实用新型]沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件无效
| 申请号： | 03266116.9 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN2638246Y | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李志坚;田立林;何平;林羲 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOIMOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 通道 soi mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于：在器件的源区(1)和漏区(3)下方有掩埋绝缘层(4)，在器件的源区(1)和漏区(3)之间为沟道区，两掩埋绝缘层(4)之间设置了一个通道(6)，使沟道区和衬底(5)相连在一起。
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