[发明专利]一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法有效
| 申请号： | 03804278.9 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1636087A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | B·吉斯兰;F·勒泰特;C·马聚尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C23C16/27;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造由单晶半导体材料制得的无支撑衬底的方法。本方法的特征在于如下步骤，包括：通过在两层之间创造一个可去除的粘合界面的方法，将－薄成核层(5，5′)转移到支撑物(7)上；在所述薄成核层上，通过外延生长的方法，生长一个旨在组成所述衬底的材料的微晶层(10)，直到其达到足以无需支撑的厚度，同时保持粘合界面(9)可去除的特性；选择厚质层(10)的材料和支撑材料(7)的热膨胀系数，使其彼此不同，由此使得在冷却组合件的时候，因支撑材料(7)与厚质层(10)之间热膨胀系数不同而诱发应力，导致所述成核层(5，5′)和所述单晶厚质层(10)从在所述可去除粘合界面(9)处的所述支撑物(7)上被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体材料 制成 支撑 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造由单晶半导体材料制得的无支撑衬底(10)的方法，其特征在于由以下步骤组成：通过在两层之间创造一个可去除的粘合界面(9)的方法，将—薄成核层(5，5′)转移到支撑物(7)上；在所述薄成核层(5，5′)上，通过外延生长的方法，生长一个旨在组成所述衬底的材料的单晶层(10)，直到其达到足以无需支撑的厚度，同时保留粘合界面(9)可去除的特性；选择厚质层(10)的材料与支撑材料(7)的热膨胀系数，使其彼此不同，其差值被确定为外延生长的温度和可能应用的外部机械应力的函数，由此在冷却组合件的时候，由外延生长温度开始，通过支撑材料(7)与厚质层(10)之间不同的热膨胀，如果需要的话可与所述的利用外部机械应力联合减小应力，促使所述成核层(5，5′)与所述单晶厚质层(10)从在所述可去除的粘合界面(9)的平面处的所述支撑物(7)上被去除。
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