[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法有效
| 申请号： | 03806324.7 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1643098A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 才本芳久;片冈真;宫川诚史;早川慎一;五十岚康二 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×105Pa、厚度为3～100μm的粘合剂层。根据本发明，在进行半导体晶圆背面研削及除去在背面生成的破碎层等处理的过程中，即使在半导体晶圆被薄层化至厚度为100μm或100μm以下的情况下，也可以防止半导体晶圆的破损及污染等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 保护 粘合 薄膜 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜，其特征为在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜的表里两面形成了在150℃下储能模量为1×105Pa或1×105Pa以上、1×107Pa或1×107Pa以下、厚度为3～100μm的粘合剂层。
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