[发明专利]掺杂型III－V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构有效
| 申请号： | 03807131.2 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1643696A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杰斯里斯·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/778;H01L33/00;H01L31/0304;H01L21/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的III－V族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上沉积半导体材料以给出外延膜表面；在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂，以在其上形成δ掺杂层；终止δ掺杂；在第二外延膜生长过程中，重新开始半导体材料的沉积以在δ掺杂层上沉积半导体材料；和继续半导体材料的第二外延膜生长过程到预先确定的程度，以形成掺杂的微电子器件结构，其中δ掺杂层(24)内化在第一、第二外延膜生长过程中沉积的半导体材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 iii 氮化物 材料 这种 构成 微电子 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种包含δ掺杂层的III-V族氮化物微电子器件结构。
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