[发明专利]铜络合物和利用该铜络合物形成含铜薄膜的方法无效
| 申请号： | 03807420.6 | 申请日： | 2003-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1642964A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 角田巧;长谷川千寻;绵贯耕平 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18;C23C16/18;//C07F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 含铜薄膜在工业上可利用具有含甲硅烷基醚键的β－二酮基配体的二价铜络合物作为铜源通过化学汽相沉积有利地形成。二价铜络合物的代表性的实例用通式(I)来表示：如上式其中Z是氢或烷基；X是用通式(I－I)表示的基团，其中Ra是亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基；Y是烷基或用通式(I－I)表示的基团，其中Ra亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 络合物 利用 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二价铜络合物，其具有含甲硅烷基醚键的β-二酮基配体。
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