[发明专利]双位记忆单元的改良擦除方法无效
| 申请号： | 03807746.9 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1698133A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | D·G·汉密尔顿;E·M·阿吉米尼;B·Q·李;E·赫塞尔;K·坦派罗伊 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在多位快闪记忆阵列中的快闪记忆单元(10)的擦除方法，其中该快闪记忆单元的位放置在正常及附增位置。对位于该正常位置的位执行一次擦除确认，若该位于正常位置的位失败，且若该擦除计数器尚未达到其最大值，则对该正常位与该附增位施加擦除脉冲。对该附增位置上的位进行擦除确认，若该附增位置上的位失败，且若该擦除计数器尚未达到其最大值，则对该附增位及正常位施加擦除脉冲。若该些位通过擦除确认，则对该些位进行软写入确认。若该些位被过分擦除，且若该软写入脉冲计数器尚未达到其最大值，则对该被过分擦除的位施加软写入脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 单元 改良 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在多位快闪记忆阵列中的快闪记忆单元(10)的擦除方法，其中该快闪记忆单元的位放置在正常及附增位置，该方法包括：(a)在一个多位快闪记忆阵列的区段中写入所有的记忆单元；(b)在初始设定中决定一个地址位置；(c)在正常位位置执行一次位擦除确认；(d)若该位并未确认为已擦除，则决定该擦除脉冲计数是否已达到其最大值；(e)若该擦除脉冲计数已达到其最大值，则指示失败，并终止该擦除方法；(f)若该擦除脉冲计数尚未达到其最大值，则在该正常及附增位位置施加一个擦除脉冲；(g)在该附增位位置执行一次位擦除确认；(h)若该位并未确认为已擦除，则决定决定该擦除脉冲计数是否已达到其最大值；(i)若该擦除脉冲计数已达到其最大值，则指示失败，并终止该擦除方法；(j)若该擦除脉冲计数尚未达到其最大值，则在该附增及正常位位置施加一个擦除脉冲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03807746.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
