[发明专利]MRAM制程中穿隧接合帽盖层、穿隧接合硬罩幕及穿隧接合堆栈种子层之材料组合无效
| 申请号： | 03808681.6 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1647206A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | R·勒斯奇纳;G·斯托贾科维;X·J·宁 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明为一种包含了位于磁性堆栈(14)上之一帽盖层(140)与硬罩幕层(142)之电阻性记忆装置(110)及其制造方法，其中该帽盖层(140)或该硬罩幕层(142)之其一乃包含WN；一位于该磁性堆栈(14)下方的种子层(136)亦可包含WN。使用材料WN改善了在制作过程中蚀刻制程的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | mram 制程中穿隧 接合 盖层 硬罩幕 堆栈 种子 材料 组合 | ||
【主权项】：
1.一种电阻性半导体记忆装置的制造方法，包含：提供一工作部件；形成一第一内层级介电层于该工作部件上；配置复数第一导线于该第一内层级介电层内；形成一种子层于该第一导线上；形成一第一磁性层于该种子层上；形成一穿隧阻障层于该第一磁性层上；沉积一第二磁性层于该穿隧阻障层上；沉积一帽盖层于该第二磁性堆栈层上；沉积一硬罩幕材料于该帽盖层上；图形化该硬罩幕材料，以形成一硬罩幕；以及使用所图形化之硬罩幕来图形化该帽盖层、该第二磁性层与该穿隧阻障层，而形成复数个穿隧接合，其中沉积一帽盖层、沉积一硬罩幕材料或沉积一种子层之其一乃包含沉积WN。
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