[发明专利]单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法

摘要

本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×10⁷个/cm³以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。

主权项

1.一种单晶硅晶片，其是由柴可拉斯基法育成的，其特征在于：其是在进行热氧化处理时产生为环状的OSF的外侧的N区域中，不存在由Cu沉积所检测出的缺陷区域，并且至少晶片中心在氧析出处理后的BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域内的。