[发明专利]一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法有效
| 申请号： | 03815031.X | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1973346A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森 | 申请（专利权）人： | 山米奎普公司 |
| 主分类号： | H01J7/24 | 分类号： | H01J7/24;H01J31/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx +和BnHx－，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 植入 装置 通过 氢化 制造 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种植入离子的方法，其包含以下步骤：(a)产生一体积的氢化硼BnHm的气相分子，其中n和m为整数，且n＞10及m≥0；(b)将定义电离氢化硼分子的氢化硼分子电离；及(c)通过一电场加速该等电离氢化硼分子到一靶中。
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