[发明专利]具有反铁磁耦合畴扩展双层结构的磁光记录介质

摘要

本发明涉及一种磁光记录介质以及制造这种介质的方法，其中读取扩展层(EL)包含反铁磁层的双或两层结构，例如，GdFeCo或TbFeCo，耦合在比较薄的非磁金属层上，例如，Ru层。在由读取辐射光束以及来自于存储层(SL)的杂散磁场引起的温度升高的影响下，双层中的磁化将会从反平行状态切换到平行状态。这种层结构的主要优点在于它针对存储层(SL)的上下磁化提供了一种对称读取响应，并且原则上可在没有外部读取磁场时使用。

主权项

1、一种磁-光记录介质，包含一个磁-光记录层和一个辅助磁层，其中所述磁-光记录层记录的磁畴在具有复制辐射的照射下被磁传递给所述辅助磁层，由此比所述磁-光记录层的所述记录磁畴更大的磁畴能够在复制时依靠所述辅助磁层的磁特性从所述辅助磁层中读回，并且其中所述辅助磁层包含一个层叠，该层叠包含至少两个子层，所述子层通过非磁金属层反铁磁耦合。