[发明专利]减少在化学机械法平面化过程中的表面凹陷和磨蚀的方法无效
| 申请号： | 03818789.2 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1675327A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | S·D·赫尔灵;李玉琢;R·L·奥格 | 申请（专利权）人： | PPG工业俄亥俄公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B1/00;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及浆料体系和从基材上去除金属的方法。本发明可用于抛光微电子器件。本发明尤其可用于半导体晶片的化学机械法平面化。本发明的浆料体系包括第一浆料和第二浆料，其中第一浆料比第二浆料具有更高的研磨剂浓度。本发明的方法包括用于从基材上部分去除金属的用第一浆料的第一抛光，以及用于从基材上进一步去除金属的用第二浆料的第二抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 化学 机械 平面化 过程 中的 表面 凹陷 磨蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、用于从基材上去除金属的浆料体系，包括：(c)含有研磨剂并准备用于从所述基材上部分去除所述金属的第一浆料；和(d)准备用于进一步从所述基材上除去所述金属的第二浆料，其中所述第一浆料比所述第二浆料具有更高的研磨剂浓度。
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