[发明专利]采用含水和低温清洗技术组合的半导体晶圆表面的后－CMP清洗有效
| 申请号： | 03819420.1 | 申请日： | 2003-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1675028A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | S·巴那基;H·F·春 | 申请（专利权）人： | 波克股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张宜红 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新的适用于清洗半导体表面以及金属、特别是疏水性低K介质膜和CMP侵蚀阻挡膜的表面，以去除后CMP污染物的含水和低温增强(ACE)清洗的改进方法。该方法特别适用于去除尺寸为0.3μm或小于0.3μm的污染物。ACE清洗方法适用于已经经历过化学机械抛光(CMP)的表面。该方法包括这样的步骤：采用含水基的清洗方法清洗表面，至少局部干燥表面，以及之后不久，采用CO2低温清洗方法清洗表面。该方法能够从疏水性的、由此单独采用含水基清洗技术难以清洁的表面上，去除所述的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 含水 低温 清洗 技术 组合 半导体 表面 cmp | ||
【主权项】：
1.一种从半导体晶圆、金属或膜的表面上去除化学机械抛光(CMP)污染物的方法，它包括以下步骤：a)采用去离子水和/或含水或溶剂基的清洗剂来湿清洗表面；b)至少局部干燥所述表面；和，c)采用CO2低温清洗所述表面。
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