[发明专利]通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法有效
| 申请号： | 03820771.0 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1678771A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | B·博蒙;P·吉巴尔特;J－P·福里 | 申请（专利权）人： | 卢米洛格股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过气相外延法制备具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法。本发明涉及一种通过气相外延沉积氮化镓而从衬底上开始制备氮化镓(GaN)膜的方法。本发明的特征在于氮化镓沉积包括至少一个气相外延横向再生长(ELO)步骤，并且在于在至少一个所述气相外延横向再生长步骤之前在预先沉积的电介质掩模中，或者直接在衬底中蚀刻开口，并且在于在气相外延横向再生长步骤之一的过程当中将不对称性引入到位错环境中，以引起最大数目的位错弯曲，弯曲的位错不出现在所产生的氮化镓层的表面。本发明还涉及由所述氮化镓膜生产的光电子器件和电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 外延 法制 具有 缺陷 密度 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.通过气相外延沉积GaN而从衬底上开始制备氮化镓(GaN)膜的方法，其特征在于GaN沉积包括至少一个气相外延横向再生长(ELO)步骤，并且在于在至少一个这些ELO步骤之前蚀刻开口：-或者在预先沉积的电介质掩模中，-或者直接在衬底中，并且在于在ELO步骤之一的过程当中将不对称性引入到位错环境中，以引起最大数目的位错弯曲，弯曲的位错不出现在如此获得的GaN层的表面。
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