[发明专利]用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备有效
| 申请号： | 03822206.X | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1682341A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 西本伸也;三桥康至;中山博之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 系统 中的 改进 折流板 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.等离子体处理器系统中的改进的折流板，包括：一个环，该环包括上表面、下表面、连接到所述上表面和所述下表面的内径向边缘、连接到所述上表面和所述下表面的外径向边缘以及至少一个通道，该通道连接到所述上表面和所述下表面，并被配置为允许气体从中流过，其中，所述上表面包括接近所述外径向边缘的第一配合面，所述下表面包括接近所述外径向边缘的第二配合面，以及多个接近所述内径向边缘的紧固件配合面，所述至少一个通道中的每一个包括一个内通道表面；以及连接到所述折流板的多个暴露表面的保护阻挡层，其中，所述暴露表面包括除开所述第一配合面的所述上表面、除开所述第二配合面和所述多个紧固件配合面的所述下表面，以及所述至少一个通道中的每一个的所述内部通道表面。
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