[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03823026.7 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1685524A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 桥本广司;高田和彦 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含非易失性存储元件和外围电路的半导体器件及其制造方法，该外围电路包含具有绝缘栅极的场效应晶体管。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括高保持能力的存储元件和具有高驱动电流的绝缘栅极的场效应晶体管。半导体器件包括：具有第一和第二区域(AR1、AR2)的半导体基板(1)；在上述第一区域上形成的非易失性存储元件用的浮置栅极结构(4、5、6、7、8)；结合于上述浮置栅极结构而形成的控制栅极结构(14)；在上述第二区域上形成的逻辑电路用的绝缘栅电极(12、14)，上述浮置栅极结构具有比上述绝缘栅电极大的鸟嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板，其在表面上具有第一元件区域和第二元件区域；双重栅极型的第一晶体管，其形成于上述第一元件区域上，具有第一长度的栅极鸟嘴，栅极侧壁由热氧化膜覆盖，具有浮置栅极和控制栅极；第二晶体管，其形成于上述第二元件区域上，具有栅电极，该栅电极具有比第一长度短的第二长度的栅极鸟嘴，上述第一晶体管作为可电性改写·擦除的非易失性存储元件进行工作，并且上述第二晶体管作为逻辑电路元件进行工作。
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