[发明专利]具有改良的载流子迁移率的垂直双栅极场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 03823250.2 | 申请日： | 2003-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1685523A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 林明仁;J·S·吴;汪海宏;相奇 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种垂直双栅极MOSFET (FinFET)器件使用应变硅来改良载流子迁移率。在一种方法中，将FinFET基体(46)图形化形成一层覆盖于电介质层上(40)的硅锗(SiGe)(42)。接着在该硅锗FinFET基体(46)上形成硅外延层(34)。由于本征硅以及作为外延硅生长的模板的硅锗晶格尺寸不同，因而在外延硅中产生应力。应变硅比松散硅(relaxed silicon)具有更高的载流子迁移率，因此外延的应变硅在FinFET中提供较高的载流子迁移率。将应变硅沟道层用于FinFET中可实现较高的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 载流子 迁移率 垂直 栅极 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：具有一电介质层(40)的衬底；垂直双栅极场效应晶体管基体(46)形成于该电介质层(40)上，该垂直双栅极场效应晶体管基体(46)包括源极和漏极区域以及其中间延伸有沟道区域；一层应变硅(34)，至少形成于该垂直双栅极场效应晶体管基体的沟道区域表面上；一栅极绝缘层(36)，至少形成于该沟道区域上以覆盖形成于该沟道区域表面上的应变硅(34)；以及一导电栅极(48)，围绕着该沟道区域的侧壁以及上部分，并且藉由该栅极绝缘层与该应变硅层将该导电栅极与该沟道区域分隔开。
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