[其他]电沉积金-碳化硅复合镀层在审
| 申请号： | 101985000000021 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1004528B | 公开（公告）日： | 1989-06-14 |
| 发明（设计）人： | 郭鹤桐;王兆勇;邱训高 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 张宏祥;曲远方 |
| 地址： | 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于继电器触点的抗电浸蚀的耐磨复合镀层，是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上、复合镀层中弥散有占镀层体积０．１～１０％，粒径小于０．５微米的ＳｉＣ微粒。这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度，低的摩擦系数，接触电阻略大于金，但低于金． 本发明提供一种具有非矩阵型遮光结构的平面显示器。非矩阵型遮光结构包括主遮光结构和辅助遮光结构，其中主遮光结构具有间隙和对应于像素区的主空间，而辅助遮光结构对应于主遮光结构的间隙。每一间隙对应于扫描线或信号线。每一主空间与至少一间隙合金，并且耐电浸蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强，这种Ａｕ－ＳｉＣ复合镀层可在含有ＳｉＣ微粒的、氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得。连接，而每一间隙连接两相邻的主空间。＜＾＾＞ | ||
| 搜索关键词： | 沉积 碳化硅 复合 镀层 | ||
【主权项】：
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