[其他]采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法在审
| 申请号： | 101985000000295 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100295B | 公开（公告）日： | 1986-02-10 |
| 发明（设计）人： | 阙端麟;李立本;林玉瓶 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于直拉（切氏法）硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入炉内氮气压力为０．５～６０托，氮气流量为２～５０升／分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶生产成本，提高硅单晶质量，产生积极的经济效果。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 保护 气氛 制造 切氏法 硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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