[其他]台面型半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 101985000000501 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1003830B | 公开（公告）日： | 1989-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与ｐ－ｎ结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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