[其他]变折射率薄膜的单源真空沉积法在审
| 申请号： | 101985000000569 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100569B | 公开（公告）日： | 1988-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庞叔鸣 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮;柯景凤 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜的制备方法。目前，关于变折射率材料（光纤、成像元件、光波导等）的制造方法较多，大多纯属化学法。真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜。本发明是采用单个电子束蒸发源，实行真空蒸发，在基底上获得变折射率薄膜，是一种物理法。此法获得变折射率膜的关键是膜科的选配工艺和采用电子束定域加热。此法与化学法相比，在制备工艺上具有较大的自由度的优点。本发明适用于制备微型光学元件或光集成元件所需的变折射率薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 薄膜 真空 沉积 | ||
【主权项】：
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