[其他]高硅低铁损冷轧取向硅钢片及制造方法在审

专利信息
申请号: 101985000000666 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100666B 公开(公告)日: 1986-12-24
发明(设计)人: 吕其春;张文润;李俊义;李军;刘治赋 申请(专利权)人: 冶金部钢铁研究总院
主分类号: 分类号:
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 北京市学院*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及含3.7~4.5(重量)%Si低铁损冷轧取向硅钢片及其制造方法。本发明硅钢片的化学成分(重量%)为:3.7~4.5%Si,0.050~0.086%C,0.08~0.15%Mn,0.015~0.035%S,0.007~0.013%N,0.005~0.020%Al。以AlN作为MnS的辅助抑制剂,热轧板坯加热温度不低于1300℃,终轧温度不低于900℃,冷轧前在500~700℃退火,酸洗后除氢。采用两次冷轧。然后在800~860℃脱碳退火和在1150℃高温退火。可获得磁性能优异的P15/50≤0.95瓦/公斤(0.35毫米厚度)的(110)〔001〕取向硅钢片。
搜索关键词: 高硅低铁损 冷轧 取向 硅钢片 制造 方法
【主权项】:
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