[其他]制备高纯度ⅡB

摘要

本发明提供了制备高纯度ⅡＢ－ⅥＡ族化合物，主要是制备ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ的新方法，上述化合物是制备发光材料和电光器件的重在原料。本发明采用“套管冷却式”容器的高频反应加热法，改变了迄今为止盛装反应物的容器和反应物加热体的形状。在加热反应过程中可以用水或冷空气对盛料的石英安瓿进行冷却，避免容器对合成的化合物的沾污，反应产物松散地落在容器壁上，容易取出产物，进行分段局部加热，安瓶内部压力低，可防止由于高压使安瓿易爆炸的问题，还大大缩短了加热时间，提高了反应产率，达到快速安全地制备高纯度材料。