[其他]高能级磁控溅射离子镀技术在审
| 申请号： | 101985000002600 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102600B | 公开（公告）日： | 1988-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宝清;朱英臣;王玉魁;王斐杰 | 申请（专利权）人： | 大连工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 大连工学院专利事务所 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 高能级磁控溅射离子镀技术是在具有一个工件负高压电源的磁控溅射离子镀装置中实现的。该离子镀工艺使镀膜有一个靶材（膜材）元素和基材元素共存的过渡层；镀膜中能出现靶材元素和基材元素组成的化合物相和固溶体相；多辉光高能级磁控溅射离子镀技术，进一步扩展了镀膜过渡层，并能沉积多层次镀膜、多元素镀膜以及反应镀膜。上述技术可以满足对表面的不同性能的要求。该项技术还具有节约能源，无公害等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 能级 磁控溅射 离子镀 技术 | ||
【主权项】：
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