[其他]一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 101985000002901 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85102901B 公开(公告)日: 1988-03-02
发明(设计)人: 陶国强;陶明德 申请(专利权)人: 中国科学院新疆物理研究所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国科学院新疆专利事务所 代理人: 王蔚
地址: 新疆维吾尔族自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散,当金和本底净杂质浓度之比为1~1.5时,形成稳定性好,B值为4000K~6000K,其均匀度优于0.1%的掺金硅热敏材料,利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻,经机械调值后,元件在-30~+50℃温区阻值互换精度为0.2%。高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3%。本发明可广泛地应用于工业、农业,尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。
搜索关键词: 一种 掺金硅 热敏 电阻器 及其 制造 方法
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