[其他]二维磁矢量磁敏器件在审
| 申请号： | 101985000003006 | 申请日： | 1985-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN85103006B | 公开（公告）日： | 1988-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄得星;吴南健 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 黑龙江省专利服务中心 | 代理人： | 阎德祥 |
| 地址： | 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于磁电转换的半导体器件，其结构如图１所示，在一个硅芯片的相互垂直的两个方向上，对称的布置四只长基区磁敏晶体管。这种器件有两个互相垂直的磁敏感方向，因此，可以检测二维磁矢量。用其做敏感元件的角度和方位角传感器是把角度或方位角等非电量转换成电信号的一种机电传感器，它与微机配合可以检测四象限角度和方位角，也可以完成直角坐标与极坐标模拟变换。这种传感器测角范围为２π、使用温度范围大，而且测角精度与环境温度无关。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 矢量 器件 | ||
【主权项】：
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