[其他]在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件在审
| 申请号： | 101985000003535 | 申请日： | 1985-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN85103535B | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阿佩尔斯;马斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 林长安 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在阶梯形材料层上覆盖第一材料层，该层也有阶梯不平的凹槽，并在它上面生成第二掩模层和转化层，对转化层进行转化而成为可选择的腐蚀层，在除下未转化的部分之后，在第二掩模层中沿凹槽边沿形成带开口的中间掩模层。用中间掩模对第一材料层进行各向异性腐蚀处理生成沟槽。根据情况在下一层衬底区中也生成沟槽。为了形成绝缘区用氧化硅填在这些槽里。如果在硅的衬底区的上面用的是多晶硅第一材料层，则该层可分别作为掺杂质的源以及供连接用，于是可以制造各种类型的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 例如 半导体材料 加工 微型 方法 以及 这种方法 制成 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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