[其他]高速硅光敏三极管在审
| 申请号： | 101985000005936 | 申请日： | 1985-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN85105936B | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何民才 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 陈畅生;龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明是一种改进的硅光敏器件。它利用ＰＮ结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏管的集电结设计成网状，使受光面包括了基区表面和网眼集电区表面两部分。从而达到了既减小集电结面积又不减小受光面的目的。若把发射区设计成细条结构并选用适当电阻率、较薄层厚的硅外延片为衬底材料，则此硅光敏三极管的响应时间可降低到０．５微秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 光敏 三极管 | ||
【主权项】：
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