[其他]门电路断开可控硅在审
| 申请号： | 101985000005982 | 申请日： | 1985-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN85105982B | 公开（公告）日： | 1988-03-30 |
| 发明（设计）人： | 樱田修六;池田裕彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所提供的门电路断开可控硅具有一块半导体衬底、一个阳极和一个控制极。半导体衬底包含有，连接阳极的Ｐ发射层、邻接于Ｐ发射层的Ｎ基区层、邻接于Ｎ基区层且连接控制极的Ｐ基区层和邻接于Ｐ基区层且连接阴极的Ｎ发射层。为了改善其电流截止性能，半导体衬底还包括在Ｐ发射层和Ｎ基区层之间设置的Ｐ型层，并且有低于Ｎ基区层的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 门电路 断开 可控硅 | ||
【主权项】：
暂无信息
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