[其他]强光离子渗金属装置及其方法在审
| 申请号： | 101985000006757 | 申请日： | 1985-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1004933B | 公开（公告）日： | 1989-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李仲君 | 申请（专利权）人： | 电子工业部工艺研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 电子工业部专利服务中心 | 代理人： | 邱应凤;徐娴 |
| 地址： | 山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用二次着火现象所设计的强光离子渗金属装置及其方法。渗层深度明显加深，渗钼层达２８５微米，渗入金属种类不受限制。阴极座上有一个用渗入金属做成的桶形靶，内放工件，工件周围放置渗入金属碎片，在适当条件下，桶形靶内电离产生“雪崩”，形成高能量强光离子区，完成强光离子渗金属过程，该区温度可达１７００℃，也可以作为科学研究用新颖的高温能源。 | ||
| 搜索关键词： | 强光 离子 金属 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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