[其他]MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法在审
| 申请号： | 101985000007886 | 申请日： | 1985-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN85107886B | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 苗庆海;刘可辛 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 王绪银;杨富贤 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | ＭＯＳ场效应晶体管的一种筛选方法。本方法是将ＭＯＳ场效应晶体管的源极和漏极短路、栅极和源极之间施加直流偏压，置于高温环境中进行老化。比较老化前后的阈电压值可判知ＭＯＳ场效应晶体管的稳定性和可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠性差的管子，而对优质正品管无损伤。具有参数反映灵敏、试验效率高、周期短、非破坏性、仪器设备简单、操作容易和节省筛选费用的优点。在当前对ＭＯＳ场效应晶体管的考核尚无国家标准的情况下亦可作为例行试验方法。 | ||
| 搜索关键词： | mos 场效应 晶体管 温度 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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