[其他]制造半导体集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 101985000009742 | 申请日： | 1985-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN85109742B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 池田修二;长泽幸一;元吉真;永井清;目黑怜 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ沟道ＭＯＳ场效应晶体管的Ｐ和Ｎ型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在Ｎ型源或漏区以离子注入法注入一种Ｎ型杂质。把此Ｎ型杂质退火以形成一个比Ｎ型源或漏区为深的Ｎ型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此Ｎ型源或漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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