[其他]重掺锑硅单晶的制造方法在审
申请号: | 101986000000854 | 申请日: | 1986-01-16 |
公开(公告)号: | CN86100854B | 公开(公告)日: | 1988-08-31 |
发明(设计)人: | 阙端麟;李立本;陈修治 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 连寿金 |
地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法,其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压--常压--减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15-20%,提高成品率10%以上,产品质量稳定。 | ||
搜索关键词: | 重掺锑硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/101986000000854/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:连续可调延长膨胀循环内燃机
- 下一篇:dl—萘普生的缩合醛肟合成法
- 同类专利
- 专利分类