[其他]浸渍阴极在审
| 申请号： | 101986000001082 | 申请日： | 1986-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN86101082B | 公开（公告）日： | 1988-12-28 |
| 发明（设计）人： | 山本惠彦;田口贞宪;会田敏之;度部勇人;川濑进 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 徐汝巽;刘梦梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Ｓｃ |
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| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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