[其他]半导体器件在审
| 申请号： | 101986000001789 | 申请日： | 1986-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1004593B | 公开（公告）日： | 1989-06-21 |
| 发明（设计）人： | 彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路，其中，双极晶体管（１）和ＣＭＯＳ晶体管（２、３）在衬底上同时形成。ＣＭＯＳ晶体管的栅（１１、２１）与双极晶体管的发射极（２９）用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于ｎ阱ＭＯＳ管的源、漏区（１７、１８）的区域（２７、２７ａ）构成，并由基区注入（２８）桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的ＣＭＯＳ工艺。一次光刻步骤决定（２８）的范围，另一次光刻步骤决定氧化层（３０）在（２８）上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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