[其他]半导体汽化冷却装置在审

专利信息
申请号: 101986000002472 申请日: 1986-04-09
公开(公告)号: CN1003026B 公开(公告)日: 1989-01-04
发明(设计)人: 板鼻搏;簿井义典 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: 分类号:
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 杨国胜
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 半导体堆由层叠和紧固在一起的GTO可控硅,冷却件和接线导体构成。半导体堆配置在冷却器内,并充以氟利昂液。冷凝器配置在冷却器上面,通过连通管与冷却器连接构成冷却装置。每个冷却件在GTO可控硅和接线导体之间配置并有许多小孔,氟利昂液在小孔内裱可控硅产生的热所沸腾变成氟利昂蒸汽趋向接线导体。每个接线导体在它与冷却器接触的表面上有许多纵向缝隙。氟利昂蒸汽沿缝隙向上流动以提高致冷剂冷却循环效率。
搜索关键词: 半导体 汽化 冷却 装置
【主权项】:
暂无信息
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