[其他]利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻在审
| 申请号： | 101986000003233 | 申请日： | 1986-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1005882B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 曾志华 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 魏金玺;卢新华 |
| 地址： | 美国.加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
利用氟化气体混合物进行等离子体蚀刻硅的一个方法。在蚀刻室里，利用ＣＨＦ |
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| 搜索关键词： | 利用 氟化 气体 混合物 进行 等离子体 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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