[其他]一种含硼铜基厚膜导体在审
| 申请号： | 101987000001846 | 申请日： | 1987-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN87101846B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谭富彬;赵玲 | 申请（专利权）人： | 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 何通培 |
| 地址： | 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
一种含硼铜基厚膜导体，包括使优先氧化材料Ｂ、Ａｌ、Ｚｎ同Ｃｕ合金化，使所得合金与Ｓｉ、Ａｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｚｎ的氧化物混合，加入有机载体以形成浆料，将浆料漏印到陶瓷基片上，并在５６０～８５０℃温度范围内和大气中烧成。所制得的厚膜导体具有良好的导电性、抗湿性和较低成本，最佳电阻率≤１．２５×１０ |
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| 搜索关键词： | 一种 含硼铜基厚膜 导体 | ||
【主权项】：
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