[其他]非晶硅光位置敏感器件在审
| 申请号： | 101987000005565 | 申请日： | 1987-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003901B | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 苏子敏;彭少麒 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中山大学专利事务所 | 代理人： | 叶贤京;蔡茂略 |
| 地址： | 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属半导体非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的单质结或异质结的横向光生伏特效应制成的可测量光点位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工艺简单，输出光敏信号较大，对位置控制、目标跟踪及计算机方面的应用具有广阔的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅光 位置 敏感 器件 | ||
【主权项】：
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