[其他]压接触GTO-可控硅整流器在审
申请号: | 101987000005600 | 申请日: | 1987-07-30 |
公开(公告)号: | CN1003203B | 公开(公告)日: | 1989-02-01 |
发明(设计)人: | 安德烈·杰克林;蒂博尔·帕科西;沃尔夫冈·齐默曼 | 申请(专利权)人: | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 吴秉芬 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在采用直接压接件的GTO--可控硅整流器情况下,由于对半导体片(2)和压接件(1,3)的表面平整度、对压接件(1,3)的对中,以及对其边缘的安排提出了特殊的要求,从而制成了一个具有极好负荷变换稳定性,可实用的构件。 | ||
搜索关键词: | 接触 gto 可控 硅整流器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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