[其他]半导体直接键合的表面处理方法在审
| 申请号： | 101987000005937 | 申请日： | 1987-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003900B | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吕世骥;阮宝崧;郭跃华;蔡跃明;陆明莹 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮;陆志斌 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的ＯＨ浓度，而且可以增加表面层内原子活性，从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 直接 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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