[其他]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法在审
| 申请号： | 101988000000307 | 申请日： | 1988-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1003797B | 公开（公告）日： | 1989-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为９９．９９％的氮气或氩－氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶，其氧含量可低于１０ｐｐｍａ，碳含量可低于１ｐｐｍａ掺入氮含量小于４．５×１０ |
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| 搜索关键词： | 一种 低氧 低碳直拉硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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