[发明专利]带有改进的散热器结构的半导体装置无效

专利信息
申请号: 200310102702.2 申请日: 2003-10-21
公开(公告)号: CN1497715A 公开(公告)日: 2004-05-19
发明(设计)人: 木村直人 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种具有改进的散热器结构的半导体器件。所述半导体器件包括有第一基片,连接到第一基片的第一散热板,具有一个连接到第一散热板的背面的第二基片,具有粘结到第二基片的正面上的正面的半导体芯片,和连接到半导体芯片的背面的第二散热板。
搜索关键词: 带有 改进 散热器 结构 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:第一基片;连接到所述第一基片的第一散热板;具有正面和背面的第二基片,所述第二基片的所述背面被连接到所述第一散热板上;具有粘结到所述第二基片的所述正面上的正面的半导体芯片;连接到所述半导体芯片的背面的第二散热板。
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