[发明专利]带有改进的散热器结构的半导体装置无效
申请号: | 200310102702.2 | 申请日: | 2003-10-21 |
公开(公告)号: | CN1497715A | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 木村直人 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有改进的散热器结构的半导体器件。所述半导体器件包括有第一基片,连接到第一基片的第一散热板,具有一个连接到第一散热板的背面的第二基片,具有粘结到第二基片的正面上的正面的半导体芯片,和连接到半导体芯片的背面的第二散热板。 | ||
搜索关键词: | 带有 改进 散热器 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:第一基片;连接到所述第一基片的第一散热板;具有正面和背面的第二基片,所述第二基片的所述背面被连接到所述第一散热板上;具有粘结到所述第二基片的所述正面上的正面的半导体芯片;连接到所述半导体芯片的背面的第二散热板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310102702.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。